Piikarbidi SiC on yhdistepuolijohdemateriaali, joka koostuu piistä ja hiili-C:stä, yleensä 4H-SiC-kidetyyppisestä. Sen eristyksen läpilyöntikentän voimakkuus on 10 kertaa Si:n, energiarako on 3 kertaa Si:n, lämmönjohtavuus on 3 kertaa Si:n ja kyllästymisryömintänopeus on 2 kertaa Si:n. Se on erittäin korkealaatuista tehoelektroniikkamateriaalia kuin Si.